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SIA433EDJ-T1-GE3中文资料

  • 大小：228KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18 毫欧 @ 7.6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：75nC @ 8V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：19W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6
  • 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SIA433EDJ-T1-GE3TR

SIA433EDJ-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-03 06:14:33
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